近日有消息稱三星電子的第五代8層HBM3E存儲芯片已成功通過英偉達的測試，將為處理生成式AI工作提供高級內(nèi)存解決方案，這一成就是三星在全球內(nèi)存芯片市場上的重大突破，此前該公司在高級內(nèi)存芯片供應方面落后于本土競爭對手SK海力士。
HBM(High Bandwidth Memory高帶寬存儲器)是一種高效的動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)標準，自2013年問世以來，一直為AI圖形處理器(GPU)提供關(guān)鍵支持，用于處理復雜應用程序產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)，目前HBM市場的主要制造商包括SK海力士、美光和三星。
盡管三星和英偉達尚未正式簽署供應協(xié)議，但雙方預計將很快達成協(xié)議，預計8層HBM3E芯片將在2024年第四季度開始供應，但三星的12層HBM3E芯片版本目前尚未通過英偉達的測試。
TrendForce預測，HBM3E芯片可能成為今年市場上的主流產(chǎn)品，需求集中在下半年。SK海力士預計，到2027年，HBM內(nèi)存芯片的需求將以每年82%的速度增長，而三星預計，到今年第四季度，HBM3E芯片將占其HBM芯片銷量的60%。
在HBM市場，SK海力士一直是英偉達的主要HBM芯片供應商，而美光也計劃向英偉達供應HBM3E芯片，此次三星8層HBM3E芯片通過英偉達測試，將進一步加劇市場的競爭。